Image of How to Apply High-Speed Differential MUX/DEMUX Bus Switches on Ultra-Fast Serial Buses How to Apply High-Speed Differential MUX/DEMUX Bus Switches on Ultra-Fast Serial Buses Fecha de publicación: 2026-10-13

Learn how Toshiba 64 GT/s differential MUX/DEMUX switches route high-speed serial signals while minimizing insertion loss, crosstalk, and skew.

Welcome to this Product Training Module for Toshiba’s TDS5B212MX and TDS5C212MX two to one differential bus switches.

Image of Efficient Robot Motion with Toshiba’s Motor Drivers, MOSFETs, and Isolation Efficient Robot Motion with Toshiba’s Motor Drivers, MOSFETs, and Isolation Fecha de publicación: 2026-10-01

Explore Toshiba motor drivers, MOSFETs, and isolation devices for efficient robot motion, precise motor control, thermal management, and reliable servo drives.

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs from Toshiba PIO | DigiKey

Toshiba's UMOS 11 low voltage N-channel MOSFETs deliver lower RDS(ON), reduced QOSS and QRR, and improved switching efficiency for DC/DC converters, motor drives, and power supplies.

Image of TOSHIBA 80V Automotive MOSFETs MOSFET automotrices de 80 V Fecha de publicación: 2026-09-16

Los MOSFET de TOSHIBA cuentan con certificación AEC-Q101 y disponen de encapsulados que mejoran la fiabilidad del proceso de montaje en el sector automotriz.

Image of TOSHIBA TCKE1401NM 80 V Rated eFuse IC Circuito integrado de fusible electrónico (eFuse) TCKE1401NM con voltaje nominal de 80 V Actualizado: 2026-09-16

El circuito integrado eFuse TCKE1401NM de TOSHIBA, con una voltaje nominal de 80 V, está diseñado para proteger las líneas de alimentación de 24 V, 48 V y 54 V en equipos industriales y de consumo.

Image of TOSHIBA TDS5B212MX/TDS5C212MX Mux/Demux Switches Conmutadores multiplexores/demultiplexores TDS5B212MX/TDS5C212MX Fecha de publicación: 2026-07-29

TOSHIBA presenta los conmutadores TDS5B212MX y TDS5C212MX, que actúan como multiplexores 2:1 y demultiplexores 1:2 de alta velocidad, y admiten velocidades de datos de hasta 64 GT/s y anchos de banda de hasta 34 GHz.

Image of Driving High-Voltage MOSFETs in Automotive Solid-State Relays Without a Second Power Supply Accionamiento de MOSFET de alto voltaje en relés de estado sólido automovilísticos sin una segunda fuente de alimentación

El fotoacoplador de salida fotovoltaica TLX9920 de Toshiba proporciona controladores de compuerta aislados para SSR basados en MOSFET de alto voltaje sin fuente de alimentación separada.

Image of TOSHIBA TCKE6 Series eFuse Protection ICs IC de protección eFuse de la serie TCKE6 Fecha de publicación: 2026-05-29

Los CI de protección repetible eFuse de la serie TCKE6 de TOSHIBA disponen de una amplia variedad de funciones integradas necesarias para la protección de circuitos de líneas de alto votlaje.

Automotive Semiconductor Solutions Soluciones de semiconductores de uso automotriz para alimentación, control de motores y aislamiento Fecha de publicación: 2026-04-01

Explore las soluciones de semiconductores para uso automotriz de Toshiba, que incluyen MOSFET, diodos, dispositivos de aislamiento y circuitos integrados de controladores de motor. Diseñado para ofrecer fiabilidad y cumplir la norma AEC-Q100 en aplicaciones de VE, BMS y energía.

Image of Toshiba Semiconductor and Storage TLX9920 Automotive Photovoltaic Output Photocoupler Fotoacoplador de salida fotovoltaica para aplicaciones automotrices TLX9920 Fecha de publicación: 2026-03-09

El fotoacoplador de salida fotovoltaica para aplicaciones automotrices TLX9920 de Toshiba es adecuado para el accionamiento de puerta de MOSFET de potencia de alto voltaje utilizados en relés de estado sólido.

Image of Toshiba 1.6 kW LLC Resonant AC/DC Converter Convertidor CA/CC resonante LLC de 1,6 kW Fecha de publicación: 2026-02-16

El convertidor CA/CC resonante LLC de 1,6 kW de Toshiba se desarrolló para una variedad de semiconductores con el fin de soportar aplicaciones como convertidores CA-CC para servidores de 48 V.

Image of Toshiba 3 kW Power Supply Design for 48 V Server and Telecom Applications Diseño de una fuente de alimentación de 3 kW para aplicaciones de 48 V en servidores y telecomunicaciones Fecha de publicación: 2026-02-10

Los MOSFET SiC y los MOSFET de bajo voltaje de Toshiba están diseñados para hacer frente a los retos que plantean los modernos diseños de servidores, como el aumento de la densidad de espacio.

Image of Toshiba's Next-Gen Trench-Gate MOSFETs Increase Efficiency and Power Density Los MOSFET de compuerta de trinchera de nueva generación de Toshiba aumentan la eficiencia y la densidad de potencia.

El MOSFET de próxima generación de Toshiba, con compuerta de trinchera, mejora las opciones de diseño para una gestión eficiente y fiable de la energía en aplicaciones avanzadas.

Image of Use an Advanced MOSFET Process for Greater Power Density and Reliability Usar tecnología avanzada de procesos MOSFET para una mayor densidad de potencia y fiabilidad Fecha de publicación: 2025-12-16

Descubra cómo los MOSFET avanzados construidos alrededor de una estructura de trinchera de bajo consumo mejorada pueden mejorar la eficiencia y la fiabilidad.

Image of Toshiba Automotive-Grade Diodes Diodos de grado automotriz Fecha de publicación: 2025-11-12

Los diodos de protección ESD de grado automotriz de Toshiba absorben la electricidad estática, evitan el mal funcionamiento de los circuitos y protegen los dispositivos en diversos rangos de tensión.

Image of Toshiba Semiconductor and Storage Automotive-Grade Transistor Transistores de grado automotriz Fecha de publicación: 2025-10-23

Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares prepolarizados de grado automotriz y transistores estándar.

Image of Toshiba Automotive-Grade Motor Driver ICs CI de controladores de motor de grado automotriz Fecha de publicación: 2025-10-16

Los CI de controladores de motor de grado automotriz de Toshiba son adecuados para soluciones como el funcionamiento silencioso del motor debido a su uso de corriente de onda sinusoidal.

Image of Toshiba TCR3LM, TCR3DM, and TCR3EM Series LDO de las series TCR3LM, TCR3DM y TCR3EM Fecha de publicación: 2025-10-13

Los LDO de uso general de las series TCR3LM, TCR3DM y TCR3EM de Toshiba ofrecen una amplia gama de opciones de rendimiento para una gran variedad de aplicaciones móviles.

Image of Toshiba Semiconductor and Storage Automotive-Grade Intelligent Power Devices Dispositivos de potencia inteligentes de grado automotriz Fecha de publicación: 2025-10-13

Los dispositivos de potencia inteligentes de grado automotriz de Toshiba cuentan con una bomba de carga incorporada y pueden ser accionados directamente desde un microprocesador.