El circuito integrado eFuse TCKE1401NM de Toshiba Electronic Devices and Storage, con una tensión nominal de 80 V, está diseñado para proteger las líneas de alimentación de 24 V, 48 V y 54 V en equipos industriales y de consumo.

Toshiba Electronic Devices and Storage presenta los conmutadores TDS5B212MX y TDS5C212MX, que actúan como multiplexores 2:1 y demultiplexores 1:2 de alta velocidad, y admiten velocidades de datos de hasta 64 GT/s y anchos de banda de hasta 34 GHz.

El fotoacoplador de salida fotovoltaica TLX9920 de Toshiba proporciona controladores de compuerta aislados para SSR basados en MOSFET de alto voltaje sin fuente de alimentación separada.

Los CI de protección repetible eFuse de la serie TCKE6 de Toshiba Electronic Devices and Storage disponen de una amplia variedad de funciones integradas necesarias para la protección de circuitos de líneas de alto votlaje.

Explore las soluciones de semiconductores para uso automotriz de Toshiba, que incluyen MOSFET, diodos, dispositivos de aislamiento y circuitos integrados de controladores de motor. Diseñado para ofrecer fiabilidad y cumplir la norma AEC-Q100 en aplicaciones de VE, BMS y energía.

El fotoacoplador de salida fotovoltaica para aplicaciones automotrices TLX9920 de Toshiba es adecuado para el accionamiento de puerta de MOSFET de potencia de alto voltaje utilizados en relés de estado sólido.

El convertidor CA/CC resonante LLC de 1,6 kW de Toshiba se desarrolló para una variedad de semiconductores con el fin de soportar aplicaciones como convertidores CA-CC para servidores de 48 V.

Los MOSFET SiC y los MOSFET de bajo voltaje de Toshiba están diseñados para hacer frente a los retos que plantean los modernos diseños de servidores, como el aumento de la densidad de espacio.

El MOSFET de próxima generación de Toshiba, con compuerta de trinchera, mejora las opciones de diseño para una gestión eficiente y fiable de la energía en aplicaciones avanzadas.

Descubra cómo los MOSFET avanzados construidos alrededor de una estructura de trinchera de bajo consumo mejorada pueden mejorar la eficiencia y la fiabilidad.

Los diodos de protección ESD de grado automotriz de Toshiba absorben la electricidad estática, evitan el mal funcionamiento de los circuitos y protegen los dispositivos en diversos rangos de tensión.

Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares prepolarizados de grado automotriz y transistores estándar.

Los CI de controladores de motor de grado automotriz de Toshiba son adecuados para soluciones como el funcionamiento silencioso del motor debido a su uso de corriente de onda sinusoidal.

Los LDO de uso general de las series TCR3LM, TCR3DM y TCR3EM de Toshiba ofrecen una amplia gama de opciones de rendimiento para una gran variedad de aplicaciones móviles.

Los dispositivos de potencia inteligentes de grado automotriz de Toshiba cuentan con una bomba de carga incorporada y pueden ser accionados directamente desde un microprocesador.

Los MOSFET de bajo voltaje UMOS11 de Toshiba están diseñados para convertidores de CC/CC y unidades de motor, fuentes de alimentación de servidores y otras aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas.

Los MOSFET DTMOS-VI de 600 V/650 V de Toshiba utilizan un potente proceso de superunión con un diodo de cuerpo robusto para mejorar la eficiencia en aplicaciones de conmutación críticas.

La tecnología SiC de 650 V y 1,200 V de Toshiba es ideal para aplicaciones de fuentes de alimentación de alta eficiencia.

Los optoacopladores de controlador de compuerta TLP5814H de Toshiba son adecuados para controlar SiC, MOSFET e IGBT y proporcionan una alta protección de aislamiento.

La solución de inversores de motor de CA sin escobillas de 400 V de Toshiba utilizan MOSFET de SiC de última generación para ofrecer una mayor eficiencia que los dispositivos IGBT a altos voltajes.