HEMT de GaN de 650 V

ROHM ha desarrollado el GNP2070TD-Z, un HEMT de GaN de 650 V en encapsulado TOLL (TO-sin conductores). Con un diseño compacto con excelente disipación de calor, alta capacidad de corriente y un rendimiento de conmutación superior, es ideal para sistemas de alta densidad. El paquete TOLL se está adoptando cada vez más en aplicaciones que requieren alta capacidad de manejo, especialmente en equipos industriales y sistemas automotrices. Para este lanzamiento, la fabricación de paquetes se ha terciarizado a ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (en lo sucesivo, «ATX»), un proveedor con amplia experiencia en servicios OSAT (ensamblaje y pruebas de semiconductores externalizados).

Mejorar la eficiencia de los motores y las fuentes de energía, que representan la mayor parte del consumo eléctrico mundial, se ha convertido en un desafío importante para lograr una sociedad descarbonizada. Como los dispositivos de alimentación son clave para mejorar la eficiencia, se espera que la adopción de nuevos materiales como el SiC (carburo de silicio) y el GaN aumente aún más la eficiencia de las fuentes de alimentación.

ROHM comenzó la producción en masa de su 1.^a generación de sus HEMT de GaN de 650 V en abril de 2023, seguida del lanzamiento de circuitos integrados de etapa de potencia que combinan un controlador de compuerta y un HEMT de GaN de 650 V en un solo paquete. En esta ocasión, ROHM ha desarrollado este producto incorporando componentes de 2.^a generación en un paquete TOLL y lo ha añadido al paquete DFN8080 ya existente, con el fin de reforzar la gama de paquetes HEMT de GaN de 650 V de ROHM. De esta manera, se satisface la demanda del mercado de aplicaciones de alta potencia aún más compactas y eficientes.

Estos productos incorporan chips de GaN sobre silicio de 2.^a generación en un paquete TOLL, con lo que alcanzan valores líderes en el sector en el parámetro del dispositivo que relaciona la resistencia en estado activo y la carga de salida (R_DS(ON) × Q_oss). Esto contribuye a una mayor miniaturización y eficiencia energética en sistemas eléctricos que requieren alta resistencia de tensión y conmutación a alta velocidad.

Para lograr la producción en masa, ROHM aprovechó tecnología patentada y experiencia en diseño de dispositivos, cultivada a través de un sistema de producción verticalmente integrado, para llevar a cabo el diseño y la planificación. En virtud de la colaboración anunciada el 10 de diciembre de 2024, los procesos frontales son llevados a cabo por Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC). Los procesos de back-end corren a cargo de ATX. Además, ROHM planea asociarse con ATX para producir dispositivos GaN de grado automotriz.

En respuesta a la creciente adopción de dispositivos de GaN en el sector automotriz, que se espera que se acelere en 2026, ROHM planea asegurar la rápida introducción de dispositivos de GaN de uso automotriz fortaleciendo estas alianzas además de impulsar sus propios esfuerzos de desarrollo.