MOSFET discretos de carburo de silicio de 1200 V

Los MOSFET de carburo de silicio de 1200 V de Wolfspeed marcan la pauta en cuanto a rendimiento, robustez y facilidad de diseño. La conmutación extremadamente rápida, la pérdida de conmutación ultrabaja y la pérdida de conducción estable con la temperatura garantizan una mejora significativa de la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el costo global de la lista de materiales frente a los MOSFET de silicio y los IGBT tradicionales. Están diseñados para optimizar aplicaciones de alta potencia, como sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), accionamientos de motores, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), energía renovable, cargadores rápidos de vehículos eléctricos, etc. 

Junto con los diodos Schottky de SiC de 1200 V, estos MOSFET crean una potente combinación para lograr una mayor eficiencia en aplicaciones con requisitos estrictos. Los usuarios pueden evaluar y optimizar el rendimiento de conmutación dinámica de alta velocidad de los MOSFET SiC Wolfspeed SpeedVal™ Kit Modular Evaluation Platform.