Name: DMN10H170SVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SVT-7DITR-ND
Price: 0.99 USD
Availability: InStock

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DMN10H170SVT-7
N.º de producto de DigiKey	DMN10H170SVT-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN10H170SVT-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN10H170SVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN10H170SVT-7
Descripción	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Plazo estándar del fabricante	36 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 2.6H (Ta) 1.2W (Ta) TSOT-26
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.7 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1167 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.2W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 5A, 10V	Número de producto base DMN10