
DMWSH120H18HM4 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 31-DMWSH120H18HM4-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | DMWSH120H18HM4 |
Descripción | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 108H (Tc) 313W (Tc) TO-247-4 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.4V a 37mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 158 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +22V, -10V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4206 pF @ 800 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 313W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 75A, 18V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H18HM4Q | Diodes Incorporated | 29 | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND | $41.33000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $35.52000 | $35.52 |
| 10 | $26.01200 | $260.12 |
| 30 | $23.07433 | $692.23 |
| 60 | $21.59650 | $1,295.79 |
| 120 | $20.35483 | $2,442.58 |

