Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.94 USD
Availability: OutOfStock

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G2K2P10D3E
N.º de producto de DigiKey	3141-G2K2P10D3ETR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G2K2P10D3ECT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2K2P10D3E
Descripción	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 10H (Tc) 31W (Tc) 8-DFN (3.15x3.05)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 210mOhm a -6A, -10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1668 pF @ 50 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 31W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (3.15x3.05)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN