Name: GT800N10L
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT800N10LTR-ND
Price: 0.48 USD
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

GT800N10L
N.º de producto de DigiKey	3141-GT800N10LTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT800N10LCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT800N10LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT800N10L
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 3.5H (Tc) 1.7W (Tc) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 2A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Serie SGT	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 209 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.7W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.5H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3