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IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW65R007M2HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 52 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 171H (Tc) 625W (Tc) PG-TO247-3-U06 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW65R007M2HXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.1mOhm a 146.3A, 20V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 29.7mA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 179 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +23V, -7V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6359 pF @ 400 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 625W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-U06 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V | Paquete / Caja (carcasa) |
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Recursos adicionales
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $36.27000 | $36.27 |
| 30 | $23.75167 | $712.55 |
| 60 | $22.26633 | $1,335.98 |
| 120 | $21.69400 | $2,603.28 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
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