Name: IMZA120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R020M1HXKSA1-ND
Price: 23.52 USD
Availability: OutOfStock

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Canal N Orificio pasante 1200 V 98H (Tc) 375W (Tc) PG-TO247-4-8

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IMZA120R020M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA120R020M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA120R020M1HXKSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	60 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 98H (Tc) 375W (Tc) PG-TO247-4-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA120R020M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 26.9mOhm a 41A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.2V a 17.6mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 109 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +20V, -5V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3460 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 98H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$23.52000	$23.52
30	$14.90500	$447.15
60	$13.88083	$832.85
120	$13.02025	$1,562.43
510	$12.74812	$6,501.54

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.

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