
IMZA75R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMZA75R027M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMZA75R027M1HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 750 V 60H (Tj) 234W (Tc) PG-TO247-4 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 8.8mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1668 pF @ 500 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 234W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 750 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 25mOhm a 24.5A, 20V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| AIMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-AIMZA75R027M1HXKSA1-ND | $17.98000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $17.14000 | $17.14 |
| 30 | $10.56033 | $316.81 |
| 60 | $9.77783 | $586.67 |
| 120 | $9.12000 | $1,094.40 |
| 510 | $8.49525 | $4,332.58 |


