
IMZA75R040M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMZA75R040M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMZA75R040M1HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 750 V 44H (Tj) 185W (Tc) PG-TO247-4 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 37mOhm a 16.6A, 20V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 6mA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1135 pF @ 500 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 185W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 750 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V | Paquete / Caja (carcasa) |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| AIMZA75R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | 448-AIMZA75R040M1HXKSA1-ND | $13.77000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $12.52000 | $12.52 |
| 30 | $7.50500 | $225.15 |
| 60 | $6.90800 | $414.48 |
| 120 | $6.40600 | $768.72 |
| 510 | $5.65051 | $2,881.76 |

