Name: IQD020N10NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD020N10NM5CGATMA1TR-ND
Price: 6.37 USD
Availability: InStock

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IQD020N10NM5CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQD020N10NM5CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQD020N10NM5CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQD020N10NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQD020N10NM5CGATMA1
Descripción	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 26H (Ta), 273H (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) PG-TTFN-9-U02
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQD020N10NM5CGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 159µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 134 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9500 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TTFN-9-U02
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26H (Ta), 273H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IQD020
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.05mOhm a 50A, 10V