IXFP8N65X2
N.º de producto de DigiKey	IXFP8N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFP8N65X2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 8H (Tc) 150W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Ultra X2	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IXFP8N65
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 4A, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
TK12E80W,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	0	TK12E80WS1X-ND	$4.68000	Similar
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IXFP8N65X2

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