Canal N Orificio pasante 600 V 50H (Tc) 660W (Tc) TO-3P
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IXFQ50N60X

N.º de producto de DigiKey
IXFQ50N60X-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IXFQ50N60X
Descripción
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 50H (Tc) 660W (Tc) TO-3P
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 4mA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
116 nC @ 10 V
Serie
Vgs (máx.)
±30V
Embalaje
Tubo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4660 pF @ 25 V
Estado de pieza
Obsoleto
Disipación de potencia (Máx.)
660W (Tc)
Tipo FET
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología
Tipo de montaje
Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete / Caja (carcasa)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Número de producto base
Rds On (máx) @ Id, Vgs
73mOhm a 25A, 10V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Obsoleto
Este producto ya no se fabrica.