


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IXFY8N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFY8N65X2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 8H (Tc) 150W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 4A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 33,332 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | $1.24000 | Similar |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 5,827 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | $2.47000 | Similar |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 1,258 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | $2.93000 | Similar |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4,068 | 497-13352-1-ND | $4.71000 | Similar |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | $3.49000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.29000 | $4.29 |
| 70 | $2.09500 | $146.65 |
| 140 | $1.90879 | $267.23 |
| 560 | $1.62041 | $907.43 |
| 1,050 | $1.51918 | $1,595.14 |
| 2,030 | $1.48888 | $3,022.43 |

