IXTQ110N055P IXYS | FET simple, MOSFET

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IXTQ110N055P
N.º de producto de DigiKey	IXTQ110N055P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTQ110N055P
Descripción	MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 55 V 110H (Tc) 390W (Tc) TO-3P

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.5V a 250µA
Fabricante IXYS	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 76 nC @ 10 V
Serie Polar	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2210 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 390W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 110H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IXTQ110
Rds On (máx) @ Id, Vgs 13.5mOhm a 500mA, 10V

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Obsoleto

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IXTQ110N055P