Name: ENGNTLCC3D5N10GN1TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-ENGNTLCC3D5N10GN1TXGTR-ND
Price: 5.45 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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ENGNTLCC3D5N10GN1TXG
N.º de producto de DigiKey	488-ENGNTLCC3D5N10GN1TXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-ENGNTLCC3D5N10GN1TXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-ENGNTLCC3D5N10GN1TXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	ENGNTLCC3D5N10GN1TXG
Descripción	GAN FET 100V, 2.7M, 3.3X3.3 LGA
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 183H (Tc) 250W (Tc) PTFP-N9
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 7.6mA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.3 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +6V, -4V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 905 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 183H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PTFP-N9
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm a 25A, 5V