
FCH040N65S3-F155 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FCH040N65S3-F155-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FCH040N65S3-F155 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 33 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 65H (Tc) 417W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FCH040N65S3-F155 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 6.5mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 136 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4740 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 417W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 40mOhm a 32.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 255 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $15.53000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 291 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $12.26000 | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | $10.81000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $15.14000 | $15.14 |
| 30 | $9.25867 | $277.76 |
| 60 | $8.55900 | $513.54 |
| 120 | $8.07550 | $969.06 |
| 510 | $7.61837 | $3,885.37 |


