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FCH190N65F-F155 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FCH190N65F-F155-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FCH190N65F-F155 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 65 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 20.6H (Tc) 208W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FCH190N65F-F155 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 2mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3225 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 10A, 10V |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH24N65X2 | IXYS | 1,134 | IXTH24N65X2-ND | $9.03000 | Similar |
| IXTH20N65X2 | IXYS | 107 | 238-IXTH20N65X2-ND | $9.03000 | Similar |
| IXFH18N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH18N65X2-ND | $4.64080 | Similar |
| TK20N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 60 | TK20N60WS1VF-ND | $5.39000 | Similar |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 34 | IPW60R190E6FKSA1-ND | $4.97000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.68000 | $7.68 |
| 10 | $5.22000 | $52.20 |
| 50 | $4.16660 | $208.33 |
| 450 | $3.38276 | $1,522.24 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
