Name: FDB2532
Brand: onsemi
SKU: FDB2532TR-ND
Price: 5.87 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 150 V 8H (Ta), 79H (Tc) 310W (Tc) TO-263 (D2PAK)

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FDB2532
N.º de producto de DigiKey	FDB2532TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB2532CT-ND - Cinta cortada (CT) FDB2532DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB2532
Descripción	MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	59 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 8H (Ta), 79H (Tc) 310W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 107 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5870 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 310W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8H (Ta), 79H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDB253
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 33A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
NTB35N15T4G	onsemi	4,394	488-NTB35N15T4GTR-ND	$2.24000	Similar
IRFS4115TRLPBF	Infineon Technologies	190	IRFS4115TRLPBFCT-ND	$5.26000	Similar

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Cinta y rollo (TR):

2400

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