Name: FDB28N30TM
Brand: onsemi
SKU: FDB28N30TMTR-ND
Price: 3.36 USD
Availability: InStock

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FDB28N30TM
N.º de producto de DigiKey	FDB28N30TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB28N30TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FDB28N30TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB28N30TM
Descripción	MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	11 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 300 V 28H (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2250 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 28H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FDB28N30
Rds On (máx) @ Id, Vgs 129mOhm a 14A, 10V