Name: FDD86110
Brand: onsemi
SKU: FDD86110TR-ND
Price: 4.07 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 12.5H (Ta), 50H (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) TO-252AA

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FDD86110
N.º de producto de DigiKey	FDD86110TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD86110CT-ND - Cinta cortada (CT) FDD86110DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD86110
Descripción	MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Plazo estándar del fabricante	78 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 12.5H (Ta), 50H (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2265 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12.5H (Ta), 50H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDD861
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.2mOhm a 12.5A, 10V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

Sustitutos (4)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
RBE067N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE067N10R1SZN6#HB0TR-ND	$0.63602	Similar
TK33S10N1Z,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	5,480	TK33S10N1ZLQTR-ND	$2.43000	Similar
STD100N10F7	STMicroelectronics	10,960	497-13548-2-ND	$3.14000	Similar
XP10NA011H	YAGEO XSEMI	976	5048-XP10NA011HTR-ND	$1.30000	Similar

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