Name: FDS86252
Brand: onsemi
SKU: FDS86252TR-ND
Price: 1.91 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 150 V 4.5H (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 8-SOIC

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FDS86252
N.º de producto de DigiKey	FDS86252TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS86252CT-ND - Cinta cortada (CT) FDS86252DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS86252
Descripción	MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	78 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 4.5H (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 955 pF @ 75 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.5H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDS86
Rds On (máx) @ Id, Vgs 55mOhm a 4.5A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (4)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
RBE039N15R1SZQ4#GB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE039N15R1SZQ4#GB0TR-ND	$2.33000	Similar
SI4488DY-T1-E3	Vishay Siliconix	2,818	SI4488DY-T1-E3TR-ND	$3.58000	Similar
RS6R060BHTB1	Rohm Semiconductor	4,742	846-RS6R060BHTB1TR-ND	$4.39000	Similar
RS6R035BHTB1	Rohm Semiconductor	2,339	846-RS6R035BHTB1TR-ND	$3.27000	Similar

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