Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD19N10LTMTR-ND
Price: 1.76 USD
Availability: InStock

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FQD19N10LTM
N.º de producto de DigiKey	FQD19N10LTMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD19N10LTMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD19N10LTM
Descripción	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 15.6H (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 870 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15.6H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V	Número de producto base FQD19N10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 7.8A, 10V