Name: NTMFS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS002N10MCLT1GTR-ND
Price: 4.96 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 22H (Ta), 175H (Tc) 3W (Ta), 189W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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NTMFS002N10MCLT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS002N10MCLT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS002N10MCLT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS002N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS002N10MCLT1G
Descripción	PTNG 100V LL SO8FL HE
Plazo estándar del fabricante	69 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 22H (Ta), 175H (Tc) 3W (Ta), 189W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMFS002N10MCLT1G Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 351µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 97 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7200 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 189W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 22H (Ta), 175H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 50A, 10V	Número de producto base NTMFS002

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
RBE029N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	4,210	559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND	$3.10000	Similar

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