Name: NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N04CTXGTR-ND
Price: 4.28 USD
Availability: InStock

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NTMTS0D7N04CTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTS0D7N04CTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTS0D7N04CTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTS0D7N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTS0D7N04CTXG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	56 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 40 V 65H (Ta), 420H (Tc) 4.9W (Ta), 205W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMTS0D7N04CTXG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9230 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 65H (Ta), 420H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFNW (8.3x8.4)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.67mOhm a 50A, 10V	Número de producto base NTMTS0