Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 7.94 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 21H (Ta), 178H (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) 8-TDFNW (8.3x8.4)

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NTMTSC4D2N10GTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTSC4D2N10GTXG
Descripción	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Plazo estándar del fabricante	76 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 21H (Ta), 178H (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) 8-TDFNW (8.3x8.4)
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 450µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 159 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10450 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.9W (Ta), 267W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21H (Ta), 178H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TDFNW (8.3x8.4)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.2mOhm a 88A, 10V

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