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NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXH015F120M3F1PTG |
Descripción | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Plazo estándar del fabricante | 26 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 77H (Tc) 198W (Tj) Montaje de chasis 22-PIM (33.8x42.5) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.4V a 30mA |
Fabricante onsemi | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 211nC a 18V |
Embalaje Bandeja | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4696pF a 800V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 198W (Tj) |
Tecnología Carburo de silicio (SiC) | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuración Canal 4 N (puente completo) | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Característica de FET Modo de exclusión | Paquete / Caja (carcasa) Módulo |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V (1.2kV) | Paquete del dispositivo del proveedor 22-PIM (33.8x42.5) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 77H (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 19mOhm a 60A, 18V |
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Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $72.84000 | $72.84 |
| 28 | $52.00000 | $1,456.00 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
