SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | FET simple, MOSFET

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Rohm Semiconductor

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Precio por unidad : $5.97000

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SCT2H12NYTB
N.º de producto de DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Cinta cortada (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT2H12NYTB
Descripción	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 4H (Tc) 44W (Tc) TO-268
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT2H12NYTB Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 410µA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -6V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 184 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 44W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1700 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm a 1.1A, 18V	Número de producto base SCT2H12