
STF33N60DM2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-16355-5-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STF33N60DM2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 24H (Tc) 35W (Tc) TO-220FP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STF33N60DM2 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1870 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 35W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 130mOhm a 12A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | $6.15000 | Similar |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | $5.69000 | Similar |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | $5.17000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.29000 | $5.29 |
| 10 | $3.50900 | $35.09 |
| 50 | $2.74420 | $137.21 |
| 100 | $2.49820 | $249.82 |
| 500 | $2.06724 | $1,033.62 |

