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STW56N65M2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-15594-5-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STW56N65M2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 36 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 49H (Tc) 358W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STW56N65M2 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 358W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 62mOhm a 24.5A, 10V |
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Sustitutos (7)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5,069 | 238-IXFH60N65X2-ND | $16.34000 | Similar |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 448 | IXTH48N65X2-ND | $13.24000 | Similar |
| IXTH62N65X2 | IXYS | 0 | IXTH62N65X2-ND | $15.07000 | Similar |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | $8.45000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 291 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $12.26000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $11.34000 | $11.34 |
| 30 | $6.70800 | $201.24 |
| 60 | $6.15583 | $369.35 |
| 120 | $5.69158 | $682.99 |
| 510 | $4.94731 | $2,523.13 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
