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MG600Q2YMS3(DAE) | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 264-MG600Q2YMS3(DAE)-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | MG600Q2YMS3(DAE) |
Descripción | SIC MOSFET MODULE, 1200 V, 600 A |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 600H (Tc) 2000W (Tc) Montaje de chasis |
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Categoría | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 600H (Tc) |
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 600mA |
Embalaje Bandeja | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 53000pF a 600V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 2000W (Tc) |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Temperatura de funcionamiento 150°C |
Configuración 2 canales N (medio puente) | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V (1.2kV) | Paquete / Caja (carcasa) Módulo |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2,477.75000 | $2,477.75 |
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