Name: SSM3J168F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J168FLFTR-ND
Price: 0.57 USD
Availability: OutOfStock

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SSM3J168F,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3J168FLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3J168FLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3J168FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J168F,LF
Descripción	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J168F,LF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) +20V, -16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 82 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.2W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 400mA (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V	Número de producto base SSM3J168
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.9Ohm a 100mA, 4.5V