Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.49 USD
Availability: InStock

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TPM1R908QM,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPM1R908QM,LQ
Descripción	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 26H (Ta), 238H (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) 8-SOP avanzado (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.9mOhm a 70A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1.2mA
Serie U-MOSX-H	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 108 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10500 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26H (Ta), 238H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (4.9x5.75)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN