
VS-4C10ET12THM3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 112-VS-4C10ET12THM3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-4C10ET12THM3 |
Descripción | RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 1200 |
Plazo estándar del fabricante | 31 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1200 V 10A Orificio pasante TO-220AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 80 µA @ 1200 V |
Embalaje Tubo | Capacitancia según Vr, F 590pF a 1V, 1MHz |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V | Tipo de montaje |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.6 V @ 10 A | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AC |
Velocidad Tiempo de recuperación cero > 500mA (Io) | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 175°C |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-4C10ET12T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 910 | 112-VS-4C10ET12T-M3-ND | $5.25000 | Equivalente paramétrico |
| UJ3D1210TS | onsemi | 9,385 | 5556-UJ3D1210TS-ND | $9.11000 | Equivalente paramétrico |
| WNSC2D1012006Q | WeEn Semiconductors | 0 | 1740-WNSC2D1012006Q-ND | $0.63879 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.81000 | $5.81 |
| 10 | $3.87200 | $38.72 |
| 50 | $3.03940 | $151.97 |
| 100 | $2.77140 | $277.14 |
| 500 | $2.30214 | $1,151.07 |

