Name: SI2318HDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2318HDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.47 USD
Availability: OutOfStock

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SI2318HDS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI2318HDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI2318HDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI2318HDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2318HDS-T1-GE3
Descripción	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Plazo estándar del fabricante	11 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 4.3H (Ta), 5.6H (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 4.3A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 340 pF @ 20 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.3H (Ta), 5.6H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3