
SI4151DY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SI4151DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI4151DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI4151DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4151DY-T1-GE3 |
Descripción | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 15.2H (Ta), 20.5H (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4151DY-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.5mOhm a 10A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Vgs (máx.) ±25V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3250 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.04000 | $2.04 |
| 10 | $1.30100 | $13.01 |
| 50 | $0.98040 | $49.02 |
| 100 | $0.87680 | $87.68 |
| 500 | $0.69492 | $347.46 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.57307 | $1,432.67 |
| 7,500 | $0.51402 | $3,855.15 |



