


SIDR626DP-T1-RE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIDR626DP-T1-RE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIDR626DP-T1-RE3CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIDR626DP-T1-RE3 |
Descripción | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 60 V 42.8H (Ta), 100H (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) PowerPAK® SO-8DC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 20A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 3.4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 102 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5130 pF @ 30 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8DC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIDR626DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 2,937 | SIDR626DP-T1-GE3TR-ND | $4.60000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.14000 | $4.14 |
| 10 | $2.71400 | $27.14 |
| 50 | $2.10100 | $105.05 |
| 100 | $1.90370 | $190.37 |
| 500 | $1.55782 | $778.91 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 6,000 | $1.59436 | $9,566.16 |








