


SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB11N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 8H (Tc) 78W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHB11N80AE-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 804 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 5.5A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.31000 | $3.31 |
| 10 | $2.14200 | $21.42 |
| 50 | $1.64000 | $82.00 |
| 100 | $1.47800 | $147.80 |
| 500 | $1.19404 | $597.02 |










