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SIHB24N65ET5-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB24N65ET5-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB24N65ET5-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 24H (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2740 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 145mOhm a 12A, 10V |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA22N65X2 | IXYS | 3,405 | 238-IXFA22N65X2-ND | $8.29000 | Similar |
| SPB20N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 3,406 | SPB20N60C3ATMA1TR-ND | $4.65000 | Similar |
| IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 906 | 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND | $4.81000 | Similar |
| STB20N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-13639-2-ND | $4.56000 | Similar |
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | 8,553 | R6020ENJTLTR-ND | $4.28000 | Similar |
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Cantidad
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Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 800 | $3.28020 | $2,624.16 |
