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SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG33N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 52 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 31.6H (Tc) 313W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 171 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4026 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 313W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 109mOhm a 16.5A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (7)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH34N65X2 | IXYS | 197 | IXTH34N65X2-ND | $10.13000 | Similar |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | $4.28274 | $2,141.37 |
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