
SIHG40N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG40N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG40N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 40H (Tc) 329W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 197 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4436 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 329W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 75mOhm a 20A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFX64N60P | IXYS | 110 | IXFX64N60P-ND | $27.91000 | Similar |
| TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK31N60WS1VF-ND | $7.53000 | Similar |
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| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 253 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $15.53000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $8.59000 | $8.59 |
| 25 | $5.11440 | $127.86 |
| 50 | $4.66460 | $233.23 |
| 100 | $4.28640 | $428.64 |
| 500 | $3.62428 | $1,812.14 |

