
SIHG47N60AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG47N60AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG47N60AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 43H (Tc) 313W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 182 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3600 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 313W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 65mOhm a 24A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK39N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK39N60XS1F-ND | $9.23000 | Similar |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | $8.45000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 291 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $12.26000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 253 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $15.53000 | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | $10.81000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $9.43000 | $9.43 |
| 25 | $5.65640 | $141.41 |
| 50 | $5.16820 | $258.41 |
| 100 | $4.75760 | $475.76 |
| 500 | $4.03904 | $2,019.52 |


