Directo
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SIHP12N60E-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHP12N60E-E3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP12N60E-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 12H (Tc) 147W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP12N60E-E3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 937 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 147W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP12N60E-BE3 | Vishay Siliconix | 878 | 742-SIHP12N60E-BE3-ND | $3.64000 | Directo |
| IXFP22N60P3 | IXYS | 217 | IXFP22N60P3-ND | $7.57000 | Similar |
| TK14A65W5,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK14A65W5S5X-ND | $4.46000 | Similar |
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | 12,000 | 2156-IPP60R380E6XKSA1-ND | $1.54000 | Similar |
| SPP15N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 6 | 448-SPP15N60C3XKSA1-ND | $5.04000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $1.33980 | $1,339.80 |









