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SIHP30N60E-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHP30N60E-E3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP30N60E-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 29H (Tc) 250W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP30N60E-E3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 15A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (11)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK25E60X5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 88 | 264-TK25E60X5,S1X-ND | $5.90000 | Similar |
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPP60R125CPXKSA1-ND | $6.57000 | Similar |
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | 396 | IPP60R125C6XKSA1-ND | $5.92000 | Similar |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 237 | IPP60R099CPXKSA1-ND | $8.63000 | Similar |
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | 216 | 448-IPP60R099C6XKSA1-ND | $7.07000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $3.31100 | $3,311.00 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
