
SIS126DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIS126DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS126DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS126DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS126DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 11 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 80 V 12H (Ta), 45.1H (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS126DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1402 pF @ 40 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.2mOhm a 10A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3L050GNTB | Rohm Semiconductor | 3,037 | RQ3L050GNTBTR-ND | $1.30000 | Similar |
| RQ7E110AJTCR | Rohm Semiconductor | 245 | RQ7E110AJTCRTR-ND | $1.60000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.69000 | $1.69 |
| 10 | $1.07000 | $10.70 |
| 50 | $0.80040 | $40.02 |
| 100 | $0.71340 | $71.34 |
| 500 | $0.56068 | $280.34 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.44911 | $1,347.33 |
| 9,000 | $0.40170 | $3,615.30 |


