
SQ4917CEY-T1_GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SQ4917CEY-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ4917CEY-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ4917CEY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQ4917CEY-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 33 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 60V 8H (Tc) 5W (Tc) Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQ4917CEY-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1910pF a 30V |
Serie | Potencia - Máx. 5W (Tc) |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal P (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V | Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8H (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 48mOhm a 4.3A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 14,142 | 742-SQ4917EY-T1_BE3TR-ND | $2.43000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.98000 | $1.98 |
| 10 | $1.25900 | $12.59 |
| 50 | $0.94740 | $47.37 |
| 100 | $0.84680 | $84.68 |
| 500 | $0.67018 | $335.09 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.55186 | $1,379.65 |
| 7,500 | $0.49452 | $3,708.90 |











