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SQP120N10-09_GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SQP120N10-09_GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQP120N10-09_GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 120H (Tc) 375W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQP120N10-09_GE3 Modelos |
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8645 pF @ 25 V |
Embalaje Tubo | Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc) |
Estado de pieza Obsoleto | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm a 30A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA |
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Sustitutos (4)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK34E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK34E10N1S1X-ND | $2.02000 | Similar |
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | 1,686 | 448-IRFB4410ZPBF-ND | $2.82000 | Similar |
| IPP083N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP083N10N5AKSA1-ND | $1.19524 | Similar |
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | $3.69000 | Similar |
En stock: 207
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.20000 | $4.20 |
| 10 | $2.75500 | $27.55 |
| 50 | $2.13460 | $106.73 |
| 100 | $1.93470 | $193.47 |
