Número de parte del fabricante | Cantidad disponible | Precio | Estado de la tarifa arancelaria | Serie | Paquete | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Vgs(th) (máx) a Id | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Disipación de potencia (Máx.) | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete del dispositivo del proveedor | Paquete / Caja (carcasa) | |
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SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA NovuSem | 218 Mercado | 218 : $66.88000 Bandeja | - | Bandeja | Activo | - | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 214H (Tc) | 20V | 12mOhm a 20A, 20V | 3.5V a 40mA | +22V, -8V | 8330 pF @ 1000 V | - | - | Montaje en superficie | Malla reticular | Molde | ||
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NovuSem | 218 Mercado | 218 : $48.98000 Bandeja | - | Bandeja | Activo | - | SiCFET (Carburo de silicio) | - | 214H (Tc) | 20V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 NovuSem | 0 Mercado | Activo | - | Tubo | Activo | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 47H (Tc) | 20V | 75mOhm a 20A, 20V | 2.8V a 5mA | +20V, -5V | 1450 pF @ 1000 V | 288W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Orificio pasante | TO-247-4L | TO-247-4 |




