Equivalente paramétrico
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FDP047N10 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDP047N10-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDP047N10 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 120H (Tc) 375W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15265 pF @ 25 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.7mOhm a 75A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP047N10 | onsemi | 170 | 2832-FDP047N10-ND | $2.36000 | Equivalente paramétrico |
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | 33 | DMTH10H005LCT-ND | $3.81000 | Similar |
| IRF100B201 | Infineon Technologies | 6,738 | IRF100B201-ND | $4.31000 | Similar |
| IPP048N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 495 | IPP048N12N3GXKSA1-ND | $5.70000 | Similar |
| STP150N10F7 | STMicroelectronics | 154 | 497-14570-5-ND | $3.94000 | Similar |




